FDS6575
Active - MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Description:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
FDS6575 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2.5V, 4.5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (max.) à Id
1.5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
74 nC @ 4.5 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
4951 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS6575 Inventaire: 30030
5.0 / 5.0
2023-03-25 19:53
Ça a l’air bien. Pas encore testé.
2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables
2023-03-20 09:32
Eh bien 50 pièces. Idéal pour le prix!
2023-03-21 12:55
Coincé à la douane
2023-03-20 14:42
Marchandises correspondant à la description et expédition rapide. Vendeur sérieux, recommandé.
France
