FDS5672
Active - MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Description:
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
FDS5672 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
45 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
2200 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS5672 Inventaire: 48460
5.0 / 5.0
2023-04-06 14:43
Pas encore essayé
2023-03-29 01:36
Tout est correct, bon emballage. Besoin d’être testé.
2022-10-26 07:05
Je ne l’ai pas encore utilisé, ça a l’air bien.
2023-04-02 01:19
Reçu comme prévu. Description correcte. Service rapide. Prêt pour mes projets électroniques.
2023-03-22 07:13
Je suis satisfait, les 2 premiers sont déjà utilisés
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