FDS5670
Active - MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Description:
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
FDS5670 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
70 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
2900 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS5670 Inventaire: 12300
5.0 / 5.0
2023-03-30 12:32
Le vendeur et les marchandises achetées sont OkGoods sont comme décrit. Je recommande
2023-04-06 02:54
Ok sans problèmes
2023-03-30 12:05
Bien reçu très rapidement
2023-03-31 23:25
livraison parfaite en Italie
2023-04-05 09:43
Articles et quantité tels que décrits, bonne qualité.
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