FDS3512
Active - MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Description:
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
FDS3512 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
70mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
634 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS3512 Inventaire: 44340
5.0 / 5.0
2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables
2023-03-20 09:32
Eh bien 50 pièces. Idéal pour le prix!
2023-03-21 12:55
Coincé à la douane
2023-03-20 14:42
Marchandises correspondant à la description et expédition rapide. Vendeur sérieux, recommandé.
2023-03-22 01:07
Produit conforme (pas encore testé). Envoi rapide et soigné. Vendeur à recommander. Merci. Merci.
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