FDS2670
Active - MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Description:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
FDS2670 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4.5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
43 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
1228 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS2670 Inventaire: 9680
5.0 / 5.0
2023-04-06 10:46
Très bon vendeur très rapide produit bien emballé merci aussi
2023-04-05 07:51
Haut comme la description
2023-04-06 01:07
J’avais besoin des MOSFET pour une carte RGBW. Après un an, tout va toujours bien
2023-04-05 14:52
Excellent produit, prix et expédition. Excellent vendeur !!! Merci.
2023-03-31 01:24
Fonctionne bien, comme annoncé. Je recommanderais
United States
