FDR6580

Obsolete - MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
Description:
MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
FDR6580 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11.2A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2.5V, 4.5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
9mOhm @ 11.2A, 4.5V
Vgs(th) (max.) à Id
1.5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 4.5 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
3829 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
SuperSOT?-8
Boîtier
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
FDR6580 Description
Le FDR6580 est un transistor MOSFET de puissance de la société onsemi, conçu pour des applications de commutation et d'amplification dans divers systèmes électroniques. Ce composant est particulièrement apprécié pour sa faible résistance à l'état passant et sa capacité à gérer des courants élevés, ce qui le rend idéal pour des applications dans les alimentations à découpage, les convertisseurs DC-DC, et d'autres circuits de puissance.
### Caractéristiques principales :
1. Type de composant :
- Le FDR6580 est un transistor MOSFET N-channel, ce qui signifie qu'il est activé par une tension positive appliquée à la grille par rapport à la source.
2. Spécifications électriques :
- Tension de drain-source (V_DS) : Le FDR6580 peut supporter une tension maximale de 30 V, ce qui le rend adapté pour des applications à basse et moyenne tension.
- Courant de drain (I_D) : Il peut gérer un courant continu allant jusqu'à 80 A, ce qui est idéal pour des applications nécessitant une forte capacité de courant.
- Résistance à l'état passant (R_DS(on)) : Avec une valeur typique de 10 mΩ à une tension de grille de 10 V, le FDR6580 offre une faible perte de conduction, ce qui améliore l'efficacité énergétique des circuits.
3. Caractéristiques thermiques :
- Température de fonctionnement : Le FDR6580 peut fonctionner dans une plage de température allant de -55 °C à +150 °C, ce qui le rend adapté pour des environnements difficiles.
- Dissipation thermique : Il est capable de dissiper une puissance allant jusqu'à 94 W, ce qui est essentiel pour maintenir des performances fiables dans des applications à forte charge.
4. Boîtier :
- Le FDR6580 est disponible dans un boîtier TO-220, qui facilite le montage sur un dissipateur thermique pour une meilleure gestion de la chaleur.
5. Applications typiques :
- Alimentations à découpage : Utilisé dans les convertisseurs de puissance pour améliorer l'efficacité et réduire les pertes.
- Contrôle de moteur : Employé dans les circuits de commande de moteurs pour gérer des courants élevés avec une faible dissipation de chaleur.
- Équipements de télécommunication : Utilisé dans les amplificateurs de puissance et autres circuits de signal.
6. Caractéristiques de commutation :
- Le FDR6580 présente des temps de montée et de descente rapides, ce qui permet une commutation efficace et rapide, réduisant ainsi les pertes de commutation.
### Conclusion :
Le FDR6580 d'onsemi est un transistor MOSFET de puissance performant, offrant une combinaison de caractéristiques électriques et thermiques qui le rendent adapté à une variété d'applications dans le domaine de l'électronique de puissance. Sa faible résistance à l'état passant et sa capacité à gérer des courants élevés en font un choix privilégié pour les ingénieurs cherchant à optimiser l'efficacité de leurs conceptions.
FDR6580 Inventaire: 23720
5.0 / 5.0

2023-03-27 06:30
Venu comme demandé. Produit de qualité. Arrivé rapidement et avec une bonne protection. Je recommande et j’achèterai à nouveau à l’avenir.

2023-03-26 11:37
Le vendeur sérieux et professionnel le recommande

2023-03-25 05:08
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2023-03-26 07:37
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2023-03-27 06:47
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