FDN352AP
Active - MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Description:
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
FDN352AP Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
1.3A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4.5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2.5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
150 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
SOT-23-3
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN352AP Inventaire: 14500
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Tout simplement excellent!!! Merci.
2022-12-19 19:44
La livraison n’est pas arrivée.
2023-03-25 13:19
Est comme la description (Toshiba). C’est le montant que j’ai demandé. Très vite, il a envoyé. Pas encore prouvé, je mettrai un commentaire supplémentaire plus tard.
2023-03-25 19:53
Ça a l’air bien. Pas encore testé.
2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables
Finland
