FDMS8090
Active - MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
Description:
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
FDMS8090 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
2 N-Channel (Dual)
Configuration
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
10A
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
13mOhm @ 10A, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4V @ 250μA
Vgs(th) (max.) à Id
27nC @ 10V
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1800pF @ 50V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
2.2W
Puissance - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Température de fonctionnement
Surface Mount
Type de montage
8-PowerWDFN
Boîtier
8-MLP (5x6), Power56
Italy
