FDMD8680

Active - MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Description:
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
FDMD8680 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
2 N-Channel (Dual)
Tension drain-source (Vdss)
66A (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4.7mOhm @ 16A, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4V @ 250μA
Vgs(th) (max.) à Id
73nC @ 10V
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
5330pF @ 40V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
39W
Puissance - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Température de fonctionnement
Surface Mount
Type de montage
8-PowerWDFN
FDMD8680 Description
Le FDMD8680 est un transistor MOSFET de puissance de la société onsemi, conçu pour des applications de commutation et d%27amplification dans des circuits électroniques. Ce composant est particulièrement adapté aux applications de gestion de l%27énergie, telles que les alimentations à découpage, les convertisseurs DC-DC et d%27autres systèmes nécessitant une efficacité énergétique élevée. Voici une présentation détaillée de ses spécifications et de ses caractéristiques.
### Caractéristiques Générales
- Type de Composant: MOSFET N-channel
- Fabricant: onsemi
- Numéro de pièce: FDMD8680
- Boîtier: SO-8
### Spécifications Techniques
1. Tension de Drain à Source:
- Tension maximale (VDS) : 80V
2. Courant:
- Courant de Drain maximal (ID) : 30A
- Courant de crête (pulsé) : 100A
3. Caractéristiques thermiques:
- Température de fonctionnement : -55°C à +150°C
- Résistance thermique (RθJA) : 50°C/W
4. Caractéristiques électriques:
- Tension de seuil (VGS(th)) : 1.5V à 3V
- Résistance de Drain à Source (RDS(on)) : 0.025Ω à VGS = 10V
5. Caractéristiques de commutation:
- Temps de montée (tr) : 30 ns
- Temps de descente (tf) : 50 ns
6. Caractéristiques de montage:
- Type de montage : Montage en surface (SMD)
- Dimensions : Standard selon le boîtier SO-8
### Applications
Le FDMD8680 est utilisé dans diverses applications, notamment :
- Alimentation à découpage pour les systèmes informatiques
- Convertisseurs DC-DC pour les équipements électroniques
- Systèmes de gestion de l%27énergie
- Applications industrielles nécessitant une gestion de puissance efficace
### Avantages
- Haute Efficacité: Grâce à sa faible résistance RDS(on), le FDMD8680 permet de réduire les pertes de puissance, ce qui est essentiel pour les applications à haute efficacité.
- Capacité de Charge Élevée: Avec un courant de drain maximal de 30A, ce MOSFET est capable de gérer des charges importantes, ce qui le rend adapté aux applications de puissance.
- Compacité: Le boîtier SO-8 permet une intégration facile dans des circuits imprimés compacts, ce qui est idéal pour les dispositifs portables.
### Conclusion
Le FDMD8680 d%27onsemi est un MOSFET N-channel performant et fiable, idéal pour les applications de gestion de puissance. Sa combinaison de caractéristiques techniques avancées, de capacité de charge élevée et d%27efficacité énergétique en fait un choix privilégié pour les concepteurs de circuits de puissance. Pour plus d%27informations, il est recommandé de consulter la fiche technique officielle du produit.
FDMD8680 Inventaire: 8140
5.0 / 5.0

2023-03-25 19:53
Ça a l’air bien. Pas encore testé.

2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables

2023-03-20 09:32
Eh bien 50 pièces. Idéal pour le prix!

2023-03-21 12:55
Coincé à la douane

2023-03-20 14:42
Marchandises correspondant à la description et expédition rapide. Vendeur sérieux, recommandé.