FDD8870
Active - MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Description:
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
FDD8870 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
21A (Ta), 160A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4.5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2.5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
118 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
5160 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (max.)
160W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
United States
