FDB024N06
Active - MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Description:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FDB024N06 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
120A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2.4mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4.5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
226 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
14885 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
395W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
D2PAK (TO-263)
Boîtier
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Spain
