FDA59N25
Active - MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Description:
MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
FDA59N25 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
59A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
49mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
82 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
4020 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
392W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier fournisseur
TO-3PN
Spain
