BD140G

Active - TRANS PNP 80V 1.5A TO126
Description:
TRANS PNP 80V 1.5A TO126
BD140G Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1.5 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
80 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier
TO-225AA, TO-126-3
Boîtier fournisseur
TO-126
BD140G Description
Le onsemi BD140G est un transistor bipolaire à jonction (BJT) de type PNP, largement utilisé pour les applications d’amplification de puissance et de commutation dans des circuits analogiques et numériques. Ce composant est reconnu pour sa robustesse, sa capacité à gérer des courants modérés et sa fiabilité dans des environnements industriels et grand public. Le BD140G est particulièrement adapté pour les applications audio, les pilotes de relais, les amplificateurs linéaires et les circuits de commande de puissance.
## Architecture et principe de fonctionnement
Le BD140G est un transistor PNP à structure bipolaire classique. Le courant principal circule du collecteur vers l’émetteur lorsque la base est polarisée négativement par rapport à l’émetteur. La jonction base-émetteur agit comme un interrupteur ou un amplificateur contrôlant le flux de courant entre collecteur et émetteur. La conception interne permet une amplification linéaire des signaux pour les applications audio ou de traitement analogique et offre une commutation efficace pour les charges résistives et inductives modérées. Le transistor est encapsulé dans un boîtier TO-225AA (ou équivalent) facilitant le montage sur PCB et la dissipation thermique.
## Tension et courant de fonctionnement
Le BD140G peut supporter une tension collecteur-émetteur maximale (V_CEO) de 80 V et une tension collecteur-base maximale (V_CBO) de 100 V, ce qui le rend adapté aux circuits alimentés par des tensions standard de 12 V à 48 V. La tension émetteur-base maximale (V_EBO) est de 5 V. Le courant de collecteur continu maximal (I_C) est de 1,5 A à température ambiante, tandis que le courant de collecteur pulsé peut atteindre 5 A sur de très courtes durées, permettant de gérer les pointes de courant dans les applications de commutation ou lors des démarrages de charge inductive. La puissance dissipable maximale est de 12,5 W, ce qui permet un fonctionnement sûr sans dissipateur additionnel dans la plupart des configurations de circuit modéré.
## Performances de gain et commutation
Le transistor présente un gain en courant continu (h_FE) typique de 40 à 250 selon la plage de courant, garantissant une amplification efficace pour les applications analogiques. La réponse en fréquence du BD140G permet un usage dans les applications audio et les circuits de faible fréquence, avec un produit gain-fréquence (f_T) typique de 150 MHz. Les temps de commutation sont adaptés aux circuits logiques TTL/CMOS et aux pilotes de relais ou de LEDs, assurant une commutation fiable même dans des systèmes à fréquence modérée.
## Caractéristiques thermiques et environnementales
Le BD140G peut fonctionner dans une plage de température de jonction de -55 °C à +150 °C, ce qui le rend adapté aux applications industrielles et embarquées. La résistance thermique jonction-ambiance est d’environ 70 °C/W sans dissipateur, et le boîtier métallique ou plastique offre une bonne dissipation thermique pour le courant nominal. Cette capacité thermique assure la stabilité du transistor même sous des charges continues proches de la puissance maximale et contribue à la longévité du composant.
## Protection et robustesse
Le BD140G est robuste face aux surintensités et aux transitoires, bien qu’il soit conseillé d’utiliser des résistances de limitation ou des fusibles dans les circuits soumis à des pointes de courant importantes. Le courant de fuite collecteur-émetteur à polarisation inverse est faible, typiquement inférieur à quelques microampères, ce qui garantit un fonctionnement stable à l’état bloqué. La diode base-collecteur interne protège partiellement contre les décharges électrostatiques et les inversions de polarité temporaires, augmentant la fiabilité globale dans des environnements industriels et grand public.
## Applications typiques
Le BD140G est couramment utilisé dans les amplificateurs audio, les pilotes de relais, les circuits de commande de moteurs à faible puissance, les oscillateurs, les circuits de régulation de tension et les applications de commutation de charges résistives et inductives. Sa combinaison de gain élevé, de capacité de courant modérée et de robustesse thermique en fait un composant idéal pour les applications nécessitant fiabilité, performance et simplicité de conception.
## Spécifications principales
* Type : BJT PNP
* Tension collecteur-émetteur maximale (V_CEO) : 80 V
* Tension collecteur-base maximale (V_CBO) : 100 V
* Tension émetteur-base maximale (V_EBO) : 5 V
* Courant de collecteur continu maximal (I_C) : 1,5 A
* Courant de collecteur pulsé maximal (I_CM) : 5 A
* Puissance dissipable maximale (P_tot) : 12,5 W
* Gain en courant continu (h_FE) : 40–250 typique
* Produit gain-fréquence (f_T) : 150 MHz typique
* Plage de température de fonctionnement : -55 °C à +150 °C
* Boîtier : TO-225AA, montage traversant
* Applications : amplification audio, pilotes de relais, circuits de commande de moteur, régulation de tension, commutation de charges
Le onsemi BD140G est ainsi un transistor PNP fiable et polyvalent, offrant une amplification efficace, une capacité de courant modérée et une robustesse thermique, parfaitement adapté aux applications industrielles, grand public et embarquées nécessitant stabilité et fiabilité.
BD140G Inventaire: 44080
5.0 / 5.0

2023-03-26 11:37
Le vendeur sérieux et professionnel le recommande

2023-03-25 05:08
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2023-03-26 07:37
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2023-03-27 06:47
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2023-03-27 01:57
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