1N916
Active - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Description:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N916 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
100 V
Courant - Moyen redressé (Io)
200mA
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1 V @ 10 mA
Vitesse
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de recouvrement inverse (trr)
4 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
5 μA @ 75 V
Capacité à Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
Type de montage
Through Hole
Boîtier
DO-204AH, DO-35, Axial
Boîtier fournisseur
DO-35
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 175 ℃
Germany
