NTE5317
Active - R-SI BRIDGE 1000V 8A
Description:
R-SI BRIDGE 1000V 8A
NTE5317 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Type de diode
Single Phase
Tension - Crête inverse (max.)
1 kV
Courant - Moyen redressé (Io)
8 A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.1 V @ 4 A
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 1000 V
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
NTE5317 Inventaire: 21700
5.0 / 5.0
2023-04-06 10:46
Très bon vendeur très rapide produit bien emballé merci aussi
2023-04-05 07:51
Haut comme la description
2023-04-06 01:07
J’avais besoin des MOSFET pour une carte RGBW. Après un an, tout va toujours bien
2023-04-05 14:52
Excellent produit, prix et expédition. Excellent vendeur !!! Merci.
2023-03-31 01:24
Fonctionne bien, comme annoncé. Je recommanderais
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