NTE2973
Active - MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P
Description:
MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P
NTE2973 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
14A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
850mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V @ 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
-
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
2900 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
275W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃
Type de montage
Through Hole
Boîtier fournisseur
TO-3P
NTE2973 Inventaire: 41320
5.0 / 5.0
2023-04-04 05:08
Livraison soignée bon service recommandé
2023-04-06 10:46
Très bon vendeur très rapide produit bien emballé merci aussi
2023-04-05 07:51
Haut comme la description
2023-04-06 01:07
J’avais besoin des MOSFET pour une carte RGBW. Après un an, tout va toujours bien
2023-04-05 14:52
Excellent produit, prix et expédition. Excellent vendeur !!! Merci.
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