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Home  /  Semi-conducteurs Discrets  /  Transistors - FET, MOSFET - Matrices de FET, MOSFET  /  NTE Electronics NTE2960

NTE2960

Active Icon Active - MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
NTE2960
NTE2960
NTE Electronics
Fabricant:
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
 
3D Model Icon

NTE2960 Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Fabricant
Série
-
Emballage
Bag
État du Produit
Active
Technologies
2 N-Channel
Configuration
Standard
Fonction FET
900V
Tension drain-source (Vdss)
7A
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2Ohm @ 3A, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4V @ 1mA
Vgs(th) (max.) à Id
-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1380pF @ 25V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
40W
Puissance - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃
Température de fonctionnement
Through Hole
Type de montage
TO-220-3 Full Pack
Boîtier
TO-220 Full Pack
Boîtier fournisseur
-

NTE2960 Inventaire: 10530

Histoire Prix
$8.63000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Sofía Núñez
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-23 01:38
Expédition rapide description exacte du produit
Author Icon
Laura Žukauskaitė
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-02-23 04:49
Il y a des blocs cassés de 3 à 9. Le vendeur s’est rendu à la réunion en rendant une partie de l’argent. Donc 5 étoiles.
Author Icon
Gaston Gaillard
Location Icon France
5 stars
2023-02-17 02:41
Bonjour bien reçu le produit selon la description très rapide et bien emballer je recommande vendeur et produit Merci cinq étoiles.
Author Icon
Jerzy Nowakowski
Location Icon Poland
5 stars
2023-02-24 01:24
Je recommande le vendeur et les marchandises.
Author Icon
Bella Johnson
Location Icon United States
5 stars
2022-08-31 13:07
Semble légitime. N’a pas encore testé.

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