1N4006
Active - DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Description:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
1N4006 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
800 V
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.1 V @ 1 A
Vitesse
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
2 μs
Courant - Fuite inverse à Vr
5 μA @ 800 V
Type de montage
Through Hole
Boîtier
DO-204AL, DO-41, Axial
Boîtier fournisseur
DO-41
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 150 ℃
1N4006 Inventaire: 7480
5.0 / 5.0
2023-04-05 07:51
Haut comme la description
2023-04-06 01:07
J’avais besoin des MOSFET pour une carte RGBW. Après un an, tout va toujours bien
2023-04-05 14:52
Excellent produit, prix et expédition. Excellent vendeur !!! Merci.
2023-03-31 01:24
Fonctionne bien, comme annoncé. Je recommanderais
2023-04-06 14:42
Pas encore essayé
France
