MCP14E8-E/SN
Active - IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Description:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
MCP14E8-E/SN Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Type de canal
Independent
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
4.5V ~ 18V
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
2A, 2A
Type d%27entrée
Inverting, Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
-
Temps de montée / descente (typ.)
12ns, 15ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
United States
