2N6691
Active - POWER BJT
2N6691 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
15 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
300 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
1V @ 3A, 15A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
100μA
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
15 @ 1A, 3V
Température de fonctionnement
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Boîtier fournisseur
TO-61
2N6691 Inventaire: 38940
5.0 / 5.0
2023-04-05 07:51
Haut comme la description
2023-04-06 01:07
J’avais besoin des MOSFET pour une carte RGBW. Après un an, tout va toujours bien
2023-04-05 14:52
Excellent produit, prix et expédition. Excellent vendeur !!! Merci.
2023-03-31 01:24
Fonctionne bien, comme annoncé. Je recommanderais
2023-04-06 14:42
Pas encore essayé
France
