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Home  /  Semi-conducteurs Discrets  /  Transistors - Bipolaire (BJT) simples  /  Microchip Technology 2N657S

2N657S

Active Icon Active - POWER BJT
2N657S
2N657S
Microchip Technology
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N657S Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
-
Emballage
Bulk
État du Produit
Active
Type de transistor
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
-
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
40 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
10μA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Puissance - Max.
600 mW
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Boîtier fournisseur
TO-5AA

2N657S Inventaire: 29480

Histoire Prix
$38.83500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Naomi Thompson
Location Icon United States
5 stars
2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables
Author Icon
Émile Lecomte
Location Icon France
5 stars
2023-03-20 09:32
Eh bien 50 pièces. Idéal pour le prix!
Author Icon
Raffaella Esposito
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-21 12:55
Coincé à la douane
Author Icon
Pietro Moretti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-20 14:42
Marchandises correspondant à la description et expédition rapide. Vendeur sérieux, recommandé.
Author Icon
Sidonie Mercier
Location Icon France
5 stars
2023-03-22 01:07
Produit conforme (pas encore testé). Envoi rapide et soigné. Vendeur à recommander. Merci. Merci.

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