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2N6579

Active - POWER BJT

2N6579

Microchip Technology

Fabricant:

Microchip Technology

Partie du Fabricant #

Catégorie:

Transistors - Bipolaire (BJT) simples

Fiche Technique:

Description:

POWER BJT

2N6579 Spécification

Attribut du Produit

Valeur d'attribut

Catégorie

Transistors - Bipolaire (BJT) simples

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Emballage

Bulk

État du Produit

Active

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (max.)

12 A

Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)

350 V

Saturation Vce (max.) à Ib, Ic

1.5V @ 500μA, 3mA

Courant - Résiduel de collecteur (max.)

-

Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce

-

Puissance - Max.

125 W

Fréquence - Transition

-

Température de fonctionnement

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

Type de montage

Through Hole

Boîtier

TO-204AA, TO-3

Boîtier fournisseur

TO-204AD (TO-3)

2N6579 Inventaire: 4100

Histoire Prix

$167.89500

Certificates

5.0 / 5.0

Beatrice Rinaldi

Italy

2023-04-05 04:33

Excellent produit recommandé

Zbigniew Nowicki

Poland

2023-03-28 12:42

Cela fonctionne comme il se doit. Le vendeur l’a emballé très durable et antichoc. Très bien: D

Alessio Greco

Italy

2023-04-06 06:00

Tout va bien est arrivé rapidement. Je le recommande à tout le monde

Esteban León

Spain

2023-04-05 20:24

En l’absence de tests

Zeno Ferraro

Italy

2022-12-17 03:56

Super magasin, tout va bien. Merci.

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