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2N656S

Active Icon Active - POWER BJT
2N656S
2N656S
Microchip Technology
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N656S Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
-
Emballage
Bulk
État du Produit
Active
Type de transistor
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
12 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
60 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
-
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
-
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
-
Puissance - Max.
-
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Boîtier fournisseur
TO-5AA

2N656S Inventaire: 23960

Histoire Prix
$38.83500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Raphaël Faure
Location Icon France
5 stars
2023-03-03 00:54
Conforme à ce à quoi je m’attendais..
Author Icon
Vanessa Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-03 06:27
parfait comme toujours
Author Icon
Alice Parker
Location Icon United States
5 stars
2023-03-03 17:39
Arrivé rapidement, soigneusement emballé, (avec représentant
Author Icon
Arianna Leone
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-03 11:03
Utilisé pour réparer la carte image car il n’a pas activé le rel<br>Est. Fonctionne maintenant parfaitement
Author Icon
Jaxon Green
Location Icon United States
5 stars
2023-03-03 23:34
Qualité correcte tout va bien

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