2N6299P
Active - POWER BJT
2N6299P Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Type de transistor
PNP - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
8 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
80 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
2V @ 80mA, 8A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
500μA
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
750 @ 4A, 3V
Température de fonctionnement
-65 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier
TO-213AA, TO-66-2
Boîtier fournisseur
TO-66 (TO-213AA)
2N6299P Inventaire: 41385
5.0 / 5.0
2023-03-10 14:16
Article tel que décrit, tout bon
2023-03-11 15:35
Good-Ic Max -100 mA.
Vce Max -45V
Vebo Max -5V
Vbe (Sat) -0.7V (Ic = -10mA, Ib = -0.5mA)
Expédition pour l’Italie en 17 jours.
Je recommande l’achat
2023-03-08 21:30
Le produit a fière allure
2023-03-08 13:25
Expédition rapide et arrivée en bon état.
2023-03-11 03:28
Vendeur sérieux et honnête, objet comme description, ce fut un plaisir de faire affaire avec le vendeur, salutations de Milan
France
