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2N5619

Active - POWER BJT

Fabricant:

Microchip Technology

Partie du Fabricant #

2N5619

Catégorie:

Transistors - Bipolaire (BJT) simples

Fiche Technique:

2N5619

Description:

POWER BJT

2N5619 Spécification

Attribut du Produit

Valeur d'attribut

Catégorie

Transistors - Bipolaire (BJT) simples

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Emballage

Bulk

État du Produit

Active

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (max.)

5 A

Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)

100 V

Saturation Vce (max.) à Ib, Ic

1.5V @ 500μA, 2.5mA

Courant - Résiduel de collecteur (max.)

-

Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce

-

Puissance - Max.

58 W

Fréquence - Transition

-

Température de fonctionnement

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

Type de montage

Through Hole

Boîtier

TO-204AA, TO-3

Boîtier fournisseur

TO-204AD (TO-3)

2N5619 Inventaire: 26580

Histoire Prix

$71.28000

5.0 / 5.0

Sidonie Mercier

France

2023-03-22 01:07

Produit conforme (pas encore testé). Envoi rapide et soigné. Vendeur à recommander. Merci. Merci.

Valère Poulain

France

2023-03-24 11:36

Comme toujours je suis satisfait de ce vendeur Merci

Ottavia Romano

Italy

2023-03-23 22:53

Tout est correct recommandé, excellent produit

Sanne van der Zanden

Netherlands

2023-03-23 13:21

Travailler en douceur merci

Chase Wilson

United States

2023-03-22 19:30

Je suis très satisfaite

2N5619

2N5619 Spécification

2N5619 Inventaire: 26580

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