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2N5601

Active Icon Active - POWER BJT
2N5601
2N5601
Microchip Technology
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5601 Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
-
Emballage
Bulk
État du Produit
Active
Type de transistor
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
80 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
850mV @ 200μA, 1mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
-
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
-
Puissance - Max.
20 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier
TO-213AA, TO-66-2
Boîtier fournisseur
TO-66 (TO-213AA)

2N5601 Inventaire: 24200

Histoire Prix
$41.38500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Enrico Morelli
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-04 12:09
Tout est correct recommandé
Author Icon
Javier Felipe
Location Icon Spain
5 stars
2023-04-06 08:13
Très précis, très rapide, avantageux
Author Icon
Hans Kraus
Location Icon Germany
5 stars
2023-04-05 08:22
Alors, comment devrait-il en être ainsi!!!
Author Icon
Daniela Romano
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-04 12:09
Tout est correct recommandé
Author Icon
Marloes de Lange
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-04-01 03:19
Envoyé rapidement. Testé et sont OK.

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