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2N5411

Active - POWER BJT

Fabricant:

Microchip Technology

Partie du Fabricant #

2N5411

Catégorie:

Transistors - Bipolaire (BJT) simples

Fiche Technique:

2N5411

Description:

POWER BJT

2N5411 Spécification

Attribut du Produit

Valeur d'attribut

Catégorie

Transistors - Bipolaire (BJT) simples

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Emballage

Bulk

État du Produit

Active

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (max.)

5 A

Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)

100 V

Saturation Vce (max.) à Ib, Ic

600mV @ 200μA, 2mA

Courant - Résiduel de collecteur (max.)

-

Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce

-

Puissance - Max.

52 W

Fréquence - Transition

-

Température de fonctionnement

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

Type de montage

Stud Mount

Boîtier

TO-111-4, Stud

Boîtier fournisseur

TO-111

2N5411 Inventaire: 36680

Histoire Prix

$276.79500

5.0 / 5.0

Saulius Žukauskas

Lithuania

2023-04-06 07:00

Très satisfait du produit, merci beaucoup au vendeur.

Cristian Díaz

Spain

2023-04-02 21:32

Est arrivé très vite, bien emballé.

Alicja Kwiatkowska

Poland

2023-03-30 12:32

Le vendeur et les marchandises achetées sont OkGoods sont comme décrit. Je recommande

Silas Carter

United States

2023-04-06 02:54

Ok sans problèmes

Julien Boucher

France

2023-03-30 12:05

Bien reçu très rapidement

2N5411

2N5411 Spécification

2N5411 Inventaire: 36680

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