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Home  /  Semi-conducteurs Discrets  /  Transistors - Bipolaire (BJT) simples  /  Microchip Technology 2N5406

2N5406

Active Icon Active - POWER BJT
2N5406
2N5406
Microchip Technology
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5406 Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
-
Emballage
Bulk
État du Produit
Active
Type de transistor
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
5 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
80 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
600mV @ 200μA, 2mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
-
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
-
Puissance - Max.
7 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Boîtier fournisseur
TO-5AA

2N5406 Inventaire: 44395

Histoire Prix
$25.77000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Ryszard Baran
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-14 14:14
Tout va bien selon la description. Livraison rapide. Non testé. Recommander ce vendeur
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Benjamin Royer
Location Icon France
5 stars
2023-03-15 07:01
Conformément à la description, bien reçu
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Giulia Morelli
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-13 23:12
Tout semble correct très recommandé et très satisfait
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Bruno Rossi
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-09 04:31
Excellent produit et excellent vendeur
Author Icon
Madeleine Hubert
Location Icon France
5 stars
2023-03-10 14:16
Article tel que décrit, tout bon

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