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2N5317

Active Icon Active - POWER BJT
2N5317
2N5317
Microchip Technology
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5317 Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
-
Emballage
Bulk
État du Produit
Active
Type de transistor
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
10 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
80 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
-
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
-
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
-
Puissance - Max.
87 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Boîtier fournisseur
TO-61

2N5317 Inventaire: 20780

Histoire Prix
$499.12500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Léon Gaillard
Location Icon France
5 stars
2023-03-31 01:24
Fonctionne bien, comme annoncé. Je recommanderais
Author Icon
Jasper Lee
Location Icon United States
5 stars
2023-04-06 14:42
Pas encore essayé
Author Icon
Lina Meier
Location Icon Germany
5 stars
2023-04-07 12:20
v
Author Icon
Enrico Morelli
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-04 12:09
Tout est correct recommandé
Author Icon
Javier Felipe
Location Icon Spain
5 stars
2023-04-06 08:13
Très précis, très rapide, avantageux

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