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2N5316

Active Icon Active - POWER BJT
2N5316
2N5316
Microchip Technology
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5316 Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
-
Emballage
Bulk
État du Produit
Active
Type de transistor
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
10 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
80 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
-
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
-
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
-
Puissance - Max.
87 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Boîtier fournisseur
TO-61

2N5316 Inventaire: 23450

Histoire Prix
$499.12500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Éva Delaunay
Location Icon France
5 stars
2023-03-26 01:25
Ils sont arrivés beaucoup plus vite que prévu. Tout ce que j’ai à faire est de les monter.
Author Icon
Laura Salmi
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-24 03:47
Tout simplement excellent!!! Merci.
Author Icon
Ville Räsänen
Location Icon Finland
5 stars
2022-12-19 19:44
La livraison n’est pas arrivée.
Author Icon
Asher King
Location Icon United States
5 stars
2023-03-25 13:19
Est comme la description (Toshiba). C’est le montant que j’ai demandé. Très vite, il a envoyé. Pas encore prouvé, je mettrai un commentaire supplémentaire plus tard.
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
Ça a l’air bien. Pas encore testé.

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