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2N5315

Active Icon Active - POWER BJT
2N5315
2N5315
Microchip Technology
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5315 Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
-
Emballage
Bulk
État du Produit
Active
Type de transistor
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
20 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
100 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 10mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
-
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
-
Puissance - Max.
87 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Boîtier fournisseur
TO-61

2N5315 Inventaire: 43815

Histoire Prix
$499.12500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Sofía Elena
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-08 08:10
Excellent vendeur, fortement recommandé.
Author Icon
Felipe Torres
Location Icon Spain
5 stars
2023-01-31 16:29
Je les ai mis et elles ont duré 2 minutes, elles éclatent automatiquement, de mauvaise qualité
Author Icon
Brian Nelson
Location Icon United States
5 stars
2023-03-07 17:17
qualité 100% vendeur recommandé,
Author Icon
Laura Fernanda Jiménez
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-05 02:44
Tout va bien !! Xbox one S réparée. Merci!
Author Icon
Valeria Romero
Location Icon Spain
5 stars
2022-11-27 08:34
Ils sont faux et la vue et à l’intérieur manquant la diode je vais prendre quelques photos à gauche est original

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