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Home  /  Semi-conducteurs Discrets  /  Transistors - Bipolaire (BJT) simples  /  Microchip Technology 2N3765U4

2N3765U4

Active Icon Active - POWER BJT
2N3765U4
2N3765U4
Microchip Technology
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N3765U4 Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
-
Emballage
Bulk
État du Produit
Active
Type de transistor
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1.5 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
60 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
900mV @ 100mA, 1A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
100μA
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
40 @ 500mA, 1V
Puissance - Max.
500 mW
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
3-SMD, No Lead
Boîtier fournisseur
U4

2N3765U4 Inventaire: 22140

Histoire Prix
$139.75500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Ricardo Medina
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-02 04:56
Il y en a beaucoup. 50 pièces. Bonne pinte. Non testé
Author Icon
Rita Sorrentino
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-02 22:07
Articles exactement tels que décrits<br>Shopping rapide<br>Je
Author Icon
Marius Morel
Location Icon France
5 stars
2023-03-01 01:18
Conformément à la description. Il est difficile de lire les références des composants sur les barres.
Author Icon
Ana Lucía Martínez
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-01 12:52
Très rapide et de bonne qualité.
Author Icon
Hugo Javier
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-28 05:11
Produit selon description

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