2N3637
Active - NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Description:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
2N3637 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
175 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
10μA
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Température de fonctionnement
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Boîtier fournisseur
TO-39
2N3637 Inventaire: 42885
5.0 / 5.0
2023-03-09 08:59
Eh bien, vous pouvez acheter
2023-03-10 01:45
Expédition très rapide de tout comme écrit!
2023-03-09 09:01
Très bonne transaction. Merci
2023-03-10 11:05
Salut.
Description correcte.
Besoin d’être prouvé.
2023-03-11 08:26
Tout va bien. Non testé
Spain
