1N6653
Active - DIODE GEN PURP 200V 20A TO59
Description:
DIODE GEN PURP 200V 20A TO59
1N6653 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
20A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1 V @ 30 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
35 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 200 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Boîtier fournisseur
TO-59
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 175 ℃
1N6653 Inventaire: 44240
5.0 / 5.0
2023-04-06 10:46
Très bon vendeur très rapide produit bien emballé merci aussi
2023-04-05 07:51
Haut comme la description
2023-04-06 01:07
J’avais besoin des MOSFET pour une carte RGBW. Après un an, tout va toujours bien
2023-04-05 14:52
Excellent produit, prix et expédition. Excellent vendeur !!! Merci.
2023-03-31 01:24
Fonctionne bien, comme annoncé. Je recommanderais
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