1N6652
Active - DIODE GEN PURP 150V 20A TO59
Description:
DIODE GEN PURP 150V 20A TO59
1N6652 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
150 V
Courant - Moyen redressé (Io)
20A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1 V @ 30 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
35 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 150 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Boîtier fournisseur
TO-59
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 175 ℃
1N6652 Inventaire: 3500
5.0 / 5.0
2023-04-05 07:51
Haut comme la description
2023-04-06 01:07
J’avais besoin des MOSFET pour une carte RGBW. Après un an, tout va toujours bien
2023-04-05 14:52
Excellent produit, prix et expédition. Excellent vendeur !!! Merci.
2023-03-31 01:24
Fonctionne bien, comme annoncé. Je recommanderais
2023-04-06 14:42
Pas encore essayé
France
