1N5814
Active - DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
Description:
DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
1N5814 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
100 V
Courant - Moyen redressé (Io)
20A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
950 mV @ 20 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
35 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 100 V
Capacité à Vr, F
300pF @ 10V, 1MHz
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AA, DO-4, Stud
Boîtier fournisseur
DO-203AA
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 175 ℃
United States
