1N5812
Active - DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
Description:
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
1N5812 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
50 V
Courant - Moyen redressé (Io)
20A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
950 mV @ 20 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
15 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 50 V
Capacité à Vr, F
300pF @ 10V, 1MHz
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AA, DO-4, Stud
Boîtier fournisseur
DO-203AA
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 175 ℃
1N5812 Inventaire: 36360
5.0 / 5.0
2023-04-08 10:31
Il y avait une offre pour emballer les transistors dans une boîte en plastique. Et vous m’avez envoyé des articles en double. J’en ai commandé différents comme vous l’avez proposé. Mais ce n’est pas juste.
2023-04-08 08:57
Viskas gerai veikiancios
2023-04-09 03:12
Je suis arrivé vite, tout allait bien.
2023-04-09 05:35
Le chargeur IC pour le haut-parleur Bluetooth était cassé. Le remplacement rapide a fonctionné comme un charme!
2023-01-30 05:21
L’objet n’est pas arrivé
Germany
