1N5809US
Active - DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
Description:
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
1N5809US Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
100 V
Courant - Moyen redressé (Io)
3A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
875 mV @ 4 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
30 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
5 μA @ 100 V
Capacité à Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
B, SQ-MELF
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 175 ℃
1N5809US Inventaire: 30340
5.0 / 5.0
2023-05-21 09:36
J’ai reçu le colis selon la commande avant la date limite
2023-05-21 09:34
J’ai reçu le beignet avant la date limite selon la commande
2023-05-20 06:38
Pas encore testé, la puce a l’air neuve.
2023-05-23 23:56
Conformément à la description. Livré rapidement.
2023-03-08 02:12
Tout va bien décrit et en cours d’exécution
Poland
