1N412B
Active - DIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA
Description:
DIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA
1N412B Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
100 V
Courant - Moyen redressé (Io)
100A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.2 V @ 200 A
Vitesse
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
50 μA @ 100 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-205AA, DO-8, Stud
Boîtier fournisseur
DO-205AA (DO-8)
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N412B Inventaire: 8175
5.0 / 5.0
2023-03-11 03:28
Vendeur sérieux et honnête, objet comme description, ce fut un plaisir de faire affaire avec le vendeur, salutations de Milan
2023-03-08 08:29
On dirait que le gars qui a fait le logo de Texas Instruments sur ces « IC nouveaux et originaux » avait un cas de gueule de bois. Pas encore testé, mais au cas où ceux-ci fonctionneraient réellement comme un vrai NE5532P, je publierai des commentaires supplémentaires.
2023-03-11 08:26
Tout va bien. Non testé
2023-03-08 22:33
Travailler sur un subwofer Sony ct-291.
2023-03-09 08:59
Eh bien, vous pouvez acheter
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