1N250B
Active - DIODE GEN PURP 200V 40A DO5
Description:
DIODE GEN PURP 200V 40A DO5
1N250B Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
40A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.19 V @ 90 A
Vitesse
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 200 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AB, DO-5, Stud
Boîtier fournisseur
DO-5 (DO-203AB)
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N250B Inventaire: 30620
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Tout simplement excellent!!! Merci.
2022-12-19 19:44
La livraison n’est pas arrivée.
2023-03-25 13:19
Est comme la description (Toshiba). C’est le montant que j’ai demandé. Très vite, il a envoyé. Pas encore prouvé, je mettrai un commentaire supplémentaire plus tard.
2023-03-25 19:53
Ça a l’air bien. Pas encore testé.
2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables
Finland
