1N2279
Active - DIODE GEN PURP 800V 6A DO5
Description:
DIODE GEN PURP 800V 6A DO5
1N2279 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
800 V
Courant - Moyen redressé (Io)
6A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.19 V @ 90 A
Vitesse
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
5 μs
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 800 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AB, DO-5, Stud
Boîtier fournisseur
DO-5 (DO-203AB)
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N2279 Inventaire: 28060
5.0 / 5.0
2023-03-25 13:19
Est comme la description (Toshiba). C’est le montant que j’ai demandé. Très vite, il a envoyé. Pas encore prouvé, je mettrai un commentaire supplémentaire plus tard.
2023-03-25 19:53
Ça a l’air bien. Pas encore testé.
2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables
2023-03-20 09:32
Eh bien 50 pièces. Idéal pour le prix!
2023-03-21 12:55
Coincé à la douane
United States
