ISL6612AECB
Obsolete - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Description:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ISL6612AECB Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Configuration
Half-Bridge
Type de canal
Synchronous
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
10.8V ~ 13.2V
Tension logique - VIL, VIH
-
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
1.25A, 2A
Type d%27entrée
Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
36 V
Temps de montée / descente (typ.)
26ns, 18ns
Tempéature de fonctionnement
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Boîtier fournisseur
8-SOIC-EP
ISL6612AECB Inventaire: 28360
5.0 / 5.0
2023-01-24 14:27
Je ne les ai pas encore testés pour vérifier qu’ils sont bons, mais un examen visuel attentif était prometteur.
2023-01-27 15:04
Ces transistors sont excellents pour les projets expérimentaux.
2023-01-27 06:03
Elles ont été bien accueillies.
2023-01-25 00:36
Le tout selon la description. Recommander le vendeur
2023-01-26 16:09
Le produit est arrivé comme annoncé.
United States
