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IGT1112M90

Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND

Fabricant:

Integra Technologies

Partie du Fabricant #

IGT1112M90

Catégorie:

Transistors - FET, MOSFET - RF

Fiche Technique:

IGT1112M90

Description:

GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND

IGT1112M90 Spécification

Attribut du Produit

Valeur d'attribut

Catégorie

Transistors - FET, MOSFET - RF

Fabricant

Integra Technologies

Série

-

Emballage

Tray

État du Produit

Active

Technologies

-

Configuration

-

Fréquence

-

Gain

-

Tension - Test

-

Courant nominal (A)

-

Facteur de bruit

-

Courant - Test

-

Puissance - Sortie

-

Tension - Nominale

-

Type de montage

-

Boîtier

-

Boîtier fournisseur

-

IGT1112M90 Inventaire: 38520

Histoire Prix

$1,295.56400

5.0 / 5.0

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

Recu dans 89 jours, bande, à tester

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

Tout va bien, merci!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

D’accord. Reçu dans les délais

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.

Katharina Schneider

Germany

2021-08-04 23:28

2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien

IGT1112M90

IGT1112M90 Spécification

IGT1112M90 Inventaire: 38520

IGT1112M90 Pièces Connexes