Catégories
Nouveautés
Contrôle Qualité
Critiques
Home  /  Semi-conducteurs Discrets  /  Transistors - FET, MOSFET - RF  /  Integra Technologies IGN1011L1200

IGN1011L1200

Active Icon Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L1200
IGN1011L1200
Integra Technologies
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
 
3D Model Icon

IGN1011L1200 Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
-
Emballage
Tray
État du Produit
Active
Technologies
HEMT
Configuration
1.03GHz ~ 1.09GHz
Fréquence
16.8dB
Gain
50 V
Tension - Test
-
Courant nominal (A)
-
Facteur de bruit
160 mA
Courant - Test
1250W
Puissance - Sortie
180 V
Tension - Nominale
-
Type de montage
PL84A1
Boîtier
PL84A1
Boîtier fournisseur
-

IGN1011L1200 Inventaire: 35670

Histoire Prix
$914.14000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Danuta Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2021-08-12 12:06
Transistors IGBT non détectés SA pour testerach à côté de plus t7-h, en tescie pour przelaczanie avec-12V pour E plus zarowka alimenté + 12V pour C déclenché doigt avec Plus, zalancza avec-wylancza. Wysylka très rapide, livraison rapide, produit bon jakosci, très nous
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Bon produit et fonctionne correctement.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Bien reçu, pas encore testé
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Je commande 10pcs. Maintenant, testez trois puces et deux étaient ID 0x441, qui est STM32F412, pas STM32F407. Je suis très déçu.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Les marchandises sont très satisfaites, la vendeuse Merci beaucoup.

IGN1011L1200 Pièces Connexes

IGN1214L500B
IGN0912LM500
IGN1011L1200
IGN1011L70
IGN1214M300
IGN2729M400R2
Demande de Devis
Numéro de Pièce *
Fabricant
Personne de Contact *
Adresse Courriel *
Quantité de Demande *
Pays de Livraison *