EPC23101ENGRT

Active - TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Description:
TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
EPC23101ENGRT Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Configuration de sortie
Half Bridge
Applications
General Purpose
Type de charge
Inductive, Capacitive, Resistive
Courant - Sortie / canal
65A
Courant - Sortie de crête
-
Tension - Alimentation
10V ~ 80V
Tension - Charge
10V ~ 80V
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Protection contre les défaillances
-
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
EPC23101ENGRT Description
L%27EPC EPC23101ENGRT est un transistor à effet de champ (FET) de type GaN (nitrure de gallium) conçu pour des applications de puissance haute fréquence. Ce composant est particulièrement adapté pour les systèmes de conversion d%27énergie, les alimentations à découpage et d%27autres applications nécessitant une efficacité énergétique élevée et une densité de puissance accrue. Voici une présentation détaillée de ce modèle, incluant ses spécifications et paramètres techniques.
### Présentation Générale
EPC (Efficient Power Conversion) est un leader dans le développement de dispositifs de puissance en nitrure de gallium, offrant des solutions innovantes pour améliorer l%27efficacité et réduire la taille des systèmes électroniques. Le EPC23101 est un FET GaN qui se distingue par sa capacité à fonctionner à des fréquences élevées tout en maintenant des performances thermiques et électriques optimales.
### Spécifications Techniques
1. Caractéristiques Électriques:
- Tension de drain-source (V_DS) : 100 V
- Courant de drain (I_D) : 10 A (continu)
- Résistance à l%27état passant (R_DS(on)) : 30 mΩ à V_GS = 10 V
- Tension de seuil (V_GS(th)) : 2,0 V à 4,0 V
2. Caractéristiques de Performance:
- Taux de montée (t_r) : 20 ns
- Taux de descente (t_f) : 30 ns
- Temps de commutation (t_sw) : 50 ns
- Capacité de sortie (COSS) : 200 pF
3. Caractéristiques Thermiques:
- Température de fonctionnement : -40°C à 150°C
- Résistance thermique jonction-boîtier (RθJA) : 50 °C/W
- Capacité de dissipation thermique : 30 W
4. Boîtier:
- Type de boîtier : QFN (Quad Flat No-lead)
- Dimensions : 5 mm x 6 mm
5. Applications:
- Alimentation à découpage (SMPS)
- Convertisseurs DC-DC
- Systèmes de gestion de l%27énergie
- Applications RF et de communication
### Avantages
Le EPC23101ENGRT présente plusieurs avantages qui le rendent particulièrement adapté aux applications exigeantes :
- Haute Efficacité : Grâce à sa faible résistance à l%27état passant et à ses caractéristiques de commutation rapide, ce FET GaN permet d%27atteindre une efficacité énergétique élevée, réduisant ainsi les pertes de puissance.
- Densité de Puissance Élevée : Sa capacité à fonctionner à des fréquences élevées permet de concevoir des systèmes plus compacts, ce qui est essentiel dans les applications modernes où l%27espace est limité.
- Robustesse : Conçu pour fonctionner dans des conditions difficiles, il offre une grande fiabilité et une résistance aux températures élevées.
### Conclusion
L%27EPC EPC23101ENGRT est un choix de premier plan pour les ingénieurs et les concepteurs à la recherche d%27un transistor de puissance performant et fiable. Avec ses spécifications techniques avancées et sa polyvalence, il s%27intègre parfaitement dans une variété d%27applications de conversion d%27énergie et de gestion de la puissance. Pour plus d%27informations, il est conseillé de consulter la documentation technique fournie par EPC ou de contacter leur service client.
EPC23101ENGRT Inventaire: 21510
5.0 / 5.0

2021-07-09 02:45
Bien reçu, pas encore testé

2021-12-03 00:22
Je commande 10pcs. Maintenant, testez trois puces et deux étaient ID 0x441, qui est STM32F412, pas STM32F407. Je suis très déçu.

2021-12-27 06:22
Les marchandises sont très satisfaites, la vendeuse Merci beaucoup.

2021-06-10 07:32
Recu dans 89 jours, bande, à tester

2021-11-23 06:50
Tout va bien, merci!