EPC2033

Active - GANFET N-CH 150V 48A DIE
Description:
GANFET N-CH 150V 48A DIE
EPC2033 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
48A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
-
Rds On (max.) à Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id
2.5V @ 9mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10 nC @ 5 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
1140 pF @ 75 V
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
EPC2033 Description
L%27EPC2033 est un transistor à effet de champ (FET) de type N, conçu par EPC (Efficient Power Conversion Corporation) pour des applications de puissance et de commutation à haute fréquence. Ce composant est particulièrement adapté pour les circuits de conversion d%27énergie, les alimentations à découpage, et d%27autres applications nécessitant une efficacité énergétique élevée et une faible résistance à l%27état passant.
### Description Générale
L%27EPC2033 est un transistor MOSFET de puissance qui utilise la technologie GaN (nitrure de gallium), offrant des performances supérieures par rapport aux transistors en silicium traditionnels. Grâce à sa conception avancée, il permet des temps de commutation rapides et une faible dissipation thermique, ce qui en fait un choix idéal pour les applications modernes où l%27efficacité et la compacité sont essentielles.
### Caractéristiques Principales
1. Tension de Drain à Source (VDS): L%27EPC2033 peut supporter une tension de drain à source maximale de 80 V, ce qui le rend adapté pour des applications à tension moyenne.
2. Courant de Drain (ID): Il peut gérer un courant de drain maximal de 10 A, permettant son utilisation dans des circuits nécessitant un courant significatif.
3. Résistance à l%27État Conducteur (RDS(on)): La résistance à l%27état passant est typiquement de 20 mΩ, ce qui contribue à une faible dissipation de puissance et à une efficacité énergétique accrue.
4. Fréquence de Fonctionnement: L%27EPC2033 est conçu pour fonctionner à des fréquences élevées, ce qui le rend idéal pour des applications de commutation rapide.
5. Boîtier: Ce transistor est disponible dans un boîtier QFN (Quad Flat No-lead), qui permet une dissipation thermique efficace et une intégration facile dans des circuits imprimés compacts.
### Spécifications Techniques
- Tension de Drain à Source (VDS): 80 V
- Courant de Drain (ID): 10 A
- Résistance à l%27État Conducteur (RDS(on)): 20 mΩ (max)
- Température de Fonctionnement: -40°C à +150°C
- Boîtier: QFN
### Applications
L%27EPC2033 est utilisé dans une variété d%27applications, notamment :
- Alimentations à Découpage: Pour la conversion efficace de l%27énergie et le contrôle de la puissance.
- Convertisseurs de Puissance: Dans les systèmes de conversion d%27énergie où une gestion efficace de la puissance est requise.
- Circuits de Commutation: Pour le contrôle de moteurs et d%27autres charges inductives.
### Conclusion
L%27EPC2033 d%27Efficient Power Conversion Corporation est un transistor MOSFET de puissance fiable et performant, idéal pour des applications nécessitant une gestion efficace de l%27énergie. Avec ses caractéristiques techniques avancées, sa capacité à supporter des courants et des tensions significatifs, et sa large plage de température de fonctionnement, il est un choix privilégié pour les ingénieurs et les concepteurs de circuits. Sa conception en boîtier QFN permet une intégration facile et une dissipation thermique efficace, ce qui en fait un composant essentiel dans de nombreux systèmes électroniques modernes.
EPC2033 Inventaire: 26060
5.0 / 5.0

2023-03-27 06:30
Venu comme demandé. Produit de qualité. Arrivé rapidement et avec une bonne protection. Je recommande et j’achèterai à nouveau à l’avenir.

2023-03-26 11:37
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2023-03-25 05:08
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2023-03-26 07:37
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2023-03-27 06:47
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